市场研究:2018年NAND闪存市场将重新进入平衡状态

据追踪内存芯片价格的研究公司DRAMeXchange称,因为NAND的产量增加以满足需求,2018年NAND闪存市场预计将进入更好的平衡状态。

据追踪内存芯片价格的研究公司DRAMeXchange称,因为NAND的产量增加以满足需求,2018年NAND闪存市场预计将进入更好的平衡状态。

自2016年第三季度以来,NAND市场已经连续6个季度供不应求。据DRAMeXchange称,因为强劲的服务器市场和智能手机内存量的持续增加,2017年市场对NAND的需求将持续增长。与此同时,由于NAND闪存制造商技术向3D NAND等技术转移,使得供应受到限制。

不过,DRAMeXchange预测2018年NAND闪存增长将达到43%,预计需求增长大约是38%。

据DRAMeXchange高级研究经理Alan Chen表示,除了市场领先者三星电子之外的NAND供应商都在经历着因为转向3D NAND制程工艺而导致的生产能力下降。Chan在声明中称:“与此同时,提供商也无法有效利用他们已经得到的额外生产能力。”

但是Chen预测,明年提供商们将在64层和72层NAND堆栈技术上达到成熟。他预测,由于智能手机和PC等消费电子产品的生产在第四季度呈现季度性急剧下滑,因此闪存市场将在2018年第一季度出现短暂的供过于求。

DRAMeXchange预测,明年全球NAND产量中3D NAND将占到70%的份额。

三星自从最近的第三季度以来就一直在大规模生产64层3D NAND。DRAMeXchange预测,到第四季度3D NAND将占到三星NAND产量中的一半还多,到明年这一比例将达到60%-70%。

据DRAMeXchange称,SK Hynix现在采用主流的48层NAND堆栈技术,但是明年72层堆栈将在其产量中占据更大的份额。SK Hynix预测,今年第四季度SK Hynix的NAND闪存产量中3D NAND将占比20%-30%,到2018年第三季度这个比例将增加到40%-50%。

东芝和其合作伙伴西部数据在今年上半年主要生产了48层3D NAND。双方的合资公司NAND总产量中有大约30%是3D NAND,到2018年这个比例预计将超过50%。

来源:EETimes

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2017

10/04

19:08

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