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可靠性、寿命将闪存推下悬崖?

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微软和加州大学圣地亚哥分校的研究人员称,闪存的未来是没有希望的,因为硅芯片的体积更小,更高密度的封装电路,会使它过于缓慢和不可靠。研究人员说:“通过在一个单元中添加位或降低特征尺寸来提高闪存的密度,会降低寿命和可靠性。

作者:huangliang 来源:比特网 2012年2月27日

关键字: 高可靠性 闪存芯片

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微软和加州大学圣地亚哥分校的研究人员称,闪存的未来是没有希望的,因为硅芯片的体积更小,更高密度的封装电路,会使它过于缓慢和不可靠。企业级闪存的每比特成本会停滞并且闪存将成为“一个钝的刀片”。

在圣何塞举行的Usenix FAST12会议上,boffins在一个PDF文档中提出他们的研究结果。他们希望看到如何处理尺寸的缩小和数据密度的增加——表示为每单元的位(bits)数量——受到影响的有NAND的性能,也许还包括减少其与硬盘驱动器在性能、可靠性和耐久性等方面的差异。

他们收集了来自6家制造商约45款闪存芯片的数据,制程工艺从72纳米到25纳米,并查看原始闪存芯片数据,假设制造用于控制器管理的闪存翻译层(FTL),使内存芯片的硬件适应一个文件系统。

接着他们看到性能测量结果显示闪存??的特征大小减少了,并写道:“我们用这个分析来预测未来的固态硬盘的性能和成本特性,我们表明,未来在密度上的收益将会带来性能和可靠性方面的显着下降。”

下面是其主要的断言:

虽然闪存密度在bits/mm2和特征尺寸扩展方面持续快速增长,所有其它闪存的优点——性能、编程/擦除耐力、能源效率和数据的保留时间——随着密度上升急剧下降。

例如,我们的数据显示,在每个单元上增加一个bit,会增加4倍写入延迟并减少编程/擦除寿命10至20倍,而密度带来的用料减少(在每单元1、2、3和4bit之间分别只有2倍,1.5倍和1.3倍)。

结果是,我们已经达到了当前的闪存管理技术可以提供可用容量的限制——我们也许能够建立更大的SSD,但它们可能过于缓慢和不可靠,面对企业应用中类似于磁盘的成本竞争力。

研究人员说:“通过在一个单元中添加位或降低特征尺寸来提高闪存的密度,会降低寿命和可靠性。”

闪存写IOPS推算

闪存相关规格参数

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